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      半導體乾蝕刻技術

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      商品網址: http://www.kingstone.com.tw/book/book_page.asp?kmcode=2014480852828&RID=C1000302652&lid=book_class_sec_se&actid=WISE

      商品訊息功能:

      商品訊息描述:














      • 《半導體乾蝕刻技術》



        日本生產工程權威獎項得主力作，圖解與表格詳實，帶領工程師掌握半導體乾蝕刻技術的全貌，提升現場即戰力。








        ◎作者於1989年，以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。1994年，以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。




        ◎圖解乾蝕刻技術的原理與實務，讓你一讀即懂。




        ◎由製程直到設備、新技術，更進一步設置有關電漿損傷的章節，以便理解全貌並了解乾蝕刻今後的課題與展望。








        針對半導體乾蝕刻技術涉及的電漿物理、化學、材料、電磁等複雜現象，循序解析，詳解各環節的連帶影響，提升現場即時應變的作戰能力，為優秀工程師養成必備的工具書！








        非等向性蝕刻是如何實現？為何Si的蝕刻使用Cl2及HBr，而SiO2的蝕刻則使用氟碳系列的氣體？為何Poly-Si及Al的蝕刻使用ICP（電感耦合式電漿）之類的高密度電漿，而SiO2的蝕刻則使用中密度電漿於間距狹窄的平行板型蝕刻機？








        本書告訴你這些連現場資深乾蝕刻工程師都不見得充分理解的知識。




        從乾蝕刻技術的基礎講到應用，讓初學者容易理解與整理；對於已有程度、經驗的工程師而言，讀之更加能理解、掌握乾蝕刻技術的全貌。








        《半導體乾蝕刻技術》精彩內容請看：www.pressstore.com.tw/freereading/9789863581291.pdf
















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          作者介紹





          野尻一男（Nojiri Kazuo）

          ■1973年群馬大學工學部電子工學科畢業。
          ■1975年群馬大學大學院工學研究科碩士課程修畢。
          ■1975年進入日立製作所。在半導體事業部從事CVD、元件整合、乾蝕刻的研究開發。尤其是關於ECR電漿蝕刻、充電損傷，進行先驅的研究。而且擔任技術開發的領導，歷任許多經理職務。
          ■2000年進入Lam Research公司擔任董事?CTO至今。

          主要受獎
          ■1989年以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。
          ■1994年以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。

          主要著作
          《先端電氣化學》（丸善）共著
          《半導體???????????????????》(?????社）共著







        • 譯者介紹





          倪志榮（Ni, Chih-Jung)








          ■1988年國立清華大學畢業




          ■1991年中日交流協會留日獎學生




          ■1993年日本東京大學工學院碩士




          ■2014年中部科學園區模範勞工




          ■曾任地球村美日語中心日語講師








          現職華邦電子公司模組技術發展部經理，從事DRAM與Flash的製程研發。




















        半導體乾蝕刻技術－目錄導覽說明





        • 序言








          譯者序








          第１章半導體積體電路的發展與乾蝕刻技術




          1.1 乾蝕刻的概要




          1.2 關於乾蝕刻的評鑑參數




          富邦學生貸款1.3 在大型積體電路上乾蝕刻技術所扮演的角色




          參考文獻








          第２章乾蝕刻的機制




          2.1 電漿的基礎




          1 電漿是什麼




          2 電漿的各物理量




          3 電漿中的碰撞反應過程




          2.2 離子鞘以及離子鞘內的離子行為




          1 離子鞘與Vdc




          2 離子鞘內的離子散射




          2.3 蝕刻製程的建構方法




          1 乾蝕刻的反應過程




          2 非等向性蝕刻的機制




          3 側壁保護過程




          4 蝕刻率




          5 選擇比




          6 總結




          參考文獻








          第３章各種材料的蝕刻




          3.1 閘極蝕刻




          1 Poly-Si閘極蝕刻




          2 晶圓面內CD均勻度的控制




          3 WSi2／Poly-Si閘極蝕刻




          4 W／WN／Poly-Si閘極蝕刻




          5 Si基板的蝕刻




          3.2 SiO2蝕刻




          1 SiO2蝕刻的機制




          2 SiO2蝕刻的關鍵參數




          3 孔洞系列的蝕刻




          4 SAC蝕刻




          5 Spacer蝕刻




          3.3 連線蝕刻




          1 Al連線蝕刻




          2 Al連線的防腐蝕處理技術




          3 其它連線材料的蝕刻




          3.4 總結




          參考文獻








          第４章乾蝕刻設備




          4.1 乾蝕刻設備的歷史




          4.2 圓筒型電漿蝕刻機




          4.3 CCP電漿蝕刻機




          4.4 磁電管RIE




          4.5 ECR電漿蝕刻機




          4.6 ICP電漿蝕刻機




          4.7 乾蝕刻設備的實例
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          4.8 靜電吸盤




          1 靜電吸盤的種類以及吸附原理




          2 晶圓溫度控制的原理




          參考文獻








          第５章乾蝕刻損傷




          5.1 導入Si表層的損傷




          5.2 充電損傷




          1 充電損傷的評鑑方法




          2 充電的發生機制




          3 各種蝕刻設備的充電評鑑與減低方法




          4 起因於圖形的閘極氧化層破壞




          參考文獻








          第６章新蝕刻技術




          6.1 Cu 鑲嵌蝕刻




          6.2 Low-k蝕刻




          6.3 使用多孔型Low-k的鑲嵌連線




          6.4 金屬閘極／High-k蝕刻




          6.5 FinFET蝕刻




          6.6 雙重圖形定義




          6.7 用於3D IC的蝕刻技術




          參考文獻








          第７章乾蝕刻技術今後的課題與展望




          7.1 關於乾蝕刻的技術革新




          7.2 今後的課題與展望




          7.3 作為工程師的心理準備




          參考文獻




















        【作者序】








        乾蝕刻技術作為半導體元件的微縮、高積體化的手段，與微影技術構成雙璧的關鍵技術，所參與的工程師人數也幾乎與微影相同的多。微影技術由於解析度取決於光波長和NA（透鏡的數值孔徑），比較容易理解。相對而言，乾蝕刻技術在反應室引起的現象複雜而不容易理解。此外，由於蝕刻是利用電漿的物理、化學反應進行，需要電力、物理、化學的綜合知識。演變的結果，實際上從事乾蝕刻的工程師在許多場合，仰賴著經驗和直覺做事。非等向性蝕刻是如何實現？為何Si的蝕刻使用Cl2及HBr，而SiO2的蝕刻則使用氟碳系列的氣體？為何Poly-Si及Al的蝕刻使用ICP（電感耦合式電漿）之類的高密度電漿，而SiO2的蝕刻則使用中密度電漿於間距狹窄的平行板型蝕刻機？關於這樣的事，很多初學者在不具備充分的理解及知識的情況下，突然就被送進了現場。而且，即使是乾蝕刻的資深工程師，也有並不充分理解這些事的例子。








        乾蝕刻雖然往往處於隱藏在微影背後的地位，但卻是如同開頭所述與微影技術構成雙璧的關鍵技術。換言之，（l）Si、SiO2、金屬等，每種材料有特定的設備與製程技術；（2）Cu鑲嵌連線加工、新材料加工等，新的領域連續不斷的誕生；（3）使用帶電粒子的緣故所產生的電漿損傷，是降低元件良率的元凶，機制的闡明與對策是必要的；（4）當今熱門話題的雙重圖形定義，乾蝕刻比微影更為重要，左右尺寸大小的精度與偏差。因應如此各式各樣的材料，並且愈來愈高度化的加工技術，讓今後想要從事的工程師，應當對乾蝕刻技術具有充分的理解加以面對，並且需求針對初學者的教科書。








        本書採用與以往書籍相異的獨特方法，將乾蝕刻技術由基礎到應用，讓初學者能夠理解的加以歸納整理。以往的乾蝕刻書籍，大多動輒偏重於艱深的電漿理論，或是反而從頭到尾羅列乾蝕刻技術的數據。本書的執筆則是盡量不使用數學式，讓初學者也能容易的理解乾蝕刻的機制。此外，由製程直到設備、新技術，考量能系統的理解。更進一步，設置電漿損傷的章節，以便能夠理解全貌，也是特徵之一。








        本書不僅讓初學者能容易的理解乾蝕刻技術的原理，也能獲得更切實際的知識。此外，雖然以初學者為對象撰寫，但是對於已經累積某種程度經驗的工程師，在能夠理解乾蝕刻技術的全貌上，期望也能有所助益。本書若能對從事乾蝕刻相關工作的工程師，在工作的執行上給予方針，至感甚幸。








        野尻一男








        【譯者序】








        譯者就職華邦電子前，曾任職於峰安金屬、林陽實業以及遠東紡織化纖總廠。當有機會聊到自己過去的職涯時，偶而會調侃自己待過金屬、玻璃、紡織、電子等四大產業，剩下養豬業還沒去過（莞爾）。根據個人親身經歷，在電子產業中，光是晶圓廠的半導體前段製程就遠比上述其他三種產業複雜，而且技術的躍進更是日新月異。如果不求進步或轉型，恐怕只有等著關廠、解散一途。








        回顧1996年譯者初進半導體業，當時DRAM的量產是以0.45微米技術生產16MB記憶容量的晶片，而如今泛用型DRAM已經使用25奈米的技術量產2GB以上記憶容量的晶片，18年來推進了12個世代。








        除了DRAM之外，其它諸如NOR與NAND等大宗的記憶體，以及台灣傲視全球的晶圓代工產業的主力──邏輯IC，也是不遑多讓的朝向微縮、積體化邁進。如同本書所述，其中尤以微影和乾蝕刻為關鍵技術，而乾蝕刻由於牽涉到電漿物理、化學、材料、電磁等複雜的現象，優秀工程師的養成更屬不易。








        本書作者具有豐富的業界經驗，深知工程師在專業知識上的需求為何。原書的英文譯本《Dry Etching Technology for Semiconductors》也於2014年10月出版。希望本中文譯本能在半導體乾蝕刻工程師的基礎教育上，略盡棉薄之力。








        倪志榮




        謹誌於華邦電子中科廠區










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        編／譯者：倪志榮
        語言：中文繁體
        規格：平裝
        分級：普級
        開數：16開19*26cm
        頁數：176

        出版地：台灣













      商品訊息簡述:








      • 作者：野尻一男

        追蹤







      • 譯者：倪志榮








      • 出版社：白象

        出版社追蹤

        功能說明





      • 出版日：2015/3/1




        • 中國信託房貸公教



        勞工貸款2018
      • ISBN：9789863581291




      • 語言：中文繁體




      • 適讀年齡：全齡適讀








      半導體乾蝕刻技術

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      國內唯一客製化的境外EMBA總裁班由國立暨南大學開辦四年以來，招生不僅滿額且倍數成長，成員都是企業主或公司重要幹部，學生們都認同顛覆傳統的翻轉教育，使他們擁有更大的凝聚力，希冀這股能量能延續下去，經過一年多籌畫，日前正式成立「國立暨南大學EMBA境外總裁班校友會」，並獲教育部核可。



      暨大EMBA境外總裁班校友會祕書長張啟章表示，不論是畢業生或是在校生都深感兩年共同學習的這份情誼難得，量身訂製課程、高規格安排出國學習，讓企業主們讀得非常快樂，希望透過校友會平台，繼續綿延情誼，並為學校及社會盡一份心力。更特別的是，暨大境外總裁班第一、二屆校友僅16人，但正在讀的第三屆和已招生的第四屆學員，也都同時加入校友會，成員達70多人，且大家在第1次的成立大會中就都繳出永久會員會費。

      暨大EMBA執行長林欣美表示，翻轉教室、移地教室是教育部正在推動的學習模式，也符合現今國際企業主的學習潮流，而學生到上海、武漢、越南、泰國、日本、英國等出國上課模式，更讓企業主能深入了解當地的趨勢脈動，精練的課程內容和產業觀摩經營交流，協助企業發展與轉型，甚至碰撞出合作商機火花。林執行長說，境外總裁班受到企業歡迎，已連續兩年一開放報名就額滿。學生強大的凝聚力係因校方辦學用心、學習多元化，也要歸功於同學企業主用他們親身經驗，並分享他們快樂的學習過程和經驗，來吸引他們身邊好友做為最佳的口碑行銷。(工商時報)

      國內唯一客製化的境外EMBA總裁班由國立暨南大學開辦四年以來，招生不僅滿額且倍數成長，成員都是企業主或公司重要幹部，學生們都認同顛覆傳統的翻轉教育，使他們擁有更大的凝聚力，希冀這股能量能延續下去，經過一年多籌畫，日前正式成立「國立暨南大學EMBA境外總裁班校友會」，並獲教育部核可。



      暨大EMBA境外總裁班校友會祕書長張啟章表示，不論是畢業生或是在校生都深感兩年共同學習的這份情誼難得，量身訂製課程、高規格安排出國學習，讓企業主們讀得非常快樂，希望透過校友會平台，繼續綿延情誼，並為學校及社會盡一份心力。更特別的是，暨大境外總裁班第一、二屆校友僅16人，但正在讀的第三屆和已招生的第四屆學員，也都同時加入校友會，成員達70多人，且大家在第1次的成立大會中就都繳出永久會員會費。

      暨大EMBA執行長林欣美表示，翻轉教室、移地教室是教育部正在推動的學習模式，也符合現今國際企業主的學習潮流，而學生到上海、武漢、越南、泰國、日本、英國等出國上課模式，更讓企業主能深入了解當地的趨勢脈動，精練的課程內容和產業觀摩經營交流，協助企業發展與轉型，甚至碰撞出合作商機火花。林執行長說，境外總裁班受到企業歡迎，已連續兩年一開放報名就額滿。學生強大的凝聚力係因校方辦學用心、學習多元化，也要歸功於同學企業主用他們親身經驗，並分享他們快樂的學習過程和經驗，來吸引他們身邊好友做為最佳的口碑行銷。(工商時報)

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